FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- Vgs（最大） ±10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 1mA
- 供应商设备包 TO-39
- 包装/箱 TO-205AF Metal Can
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1 nC @ 5 V
- 功耗（最大） 8.33W (Tc)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.69A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 2.6Ohm @ 1.07A, 5V
