FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 供应商设备包 TO-92-3
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- Vgs（最大） ±30V
- 包装/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V, 10V
- 功耗（最大） 1W (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 50 pF @ 25 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 230mA (Tj)
