FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 功耗（最大） 200W (Tc)
- 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
- 包装/箱 TO-276AA
- 供应商设备包 TO-276
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A (Tc) (158°C)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 170mOhm @ 8A
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 720 pF @ 35 V
