FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 供应商设备包 TO-257
- 包装/箱 TO-257-3
- 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1534 pF @ 35 V
- 功耗（最大） 172W (Tc)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A (Tc) (155°C)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 105mOhm @ 15A
