FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
2SK3479-Z-E1-AZ
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 83A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 210 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 1.5W (Ta), 125W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 11000 pF @ 10 V
- 供应商设备包 TO-263, TO-220SMD
- Rds On（最大）@Id、Vgs 11mOhm @ 42A, 10V
