FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
2SK3703-1E
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- Vgs（最大） ±20V
- 包装/箱 TO-220-3 Full Pack
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4V, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 40 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 2W (Ta), 25W (Tc)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 26mOhm @ 15A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1780 pF @ 20 V
- 供应商设备包 TO-220F-3SG
