FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
2SK4150TZ-E
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 包装/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±10V
- 漏源电压 (Vdss) 250 V
- 供应商设备包 TO-92
- 功耗（最大） 750mW (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 4V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 5.7Ohm @ 200mA, 4V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 3.7 nC @ 4 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 80 pF @ 25 V
