FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- Vgs（最大） ±30V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50mA (Ta)
- 包装/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- 供应商设备包 TO-72
- Rds On（最大）@Id、Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 10µA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3.5 pF @ 15 V
- 功耗（最大） 375mW (Ta)
