FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 4-SMD, No Lead
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 8 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 27 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大） ±5V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.2V, 2.5V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 28mOhm @ 1.5A, 2.5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 650mV @ 250µA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1935 pF @ 4 V
- 功耗（最大） 550mW (Ta)
- 供应商设备包 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
