FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA
- Vgs（最大） ±25V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4V, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 15 nC @ 10 V
- 供应商设备包 8-DFN-EP (3x3)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A (Ta), 16A (Tc)
- 功耗（最大） 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 466 pF @ 15 V
