FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
APT1204R7KFLLG
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 TO-220-3
- Vgs（最大） ±30V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 31 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 1mA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
- 功耗（最大） 135W (Tc)
- 供应商设备包 TO-220 [K]
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 715 pF @ 25 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
