FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 1200 V
- 输入类型 Standard
- 包装/箱 TO-247-3
- 集电极脉冲电流 (Icm) 150 A
- IGBT类型 NPT
- 集电极电流 (Ic)（最大） 94 A
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
- 功率 - 最大 625 W
- 开关能量 2330µJ (off)
- 栅极电荷 340 nC
- Td（开/关）@ 25°C 24ns/230ns
- 测试条件 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
