FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
APT50M80B2VRG
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 2.5mA
- 包装/箱 TO-247-3 Variant
- 漏源电压 (Vdss) 500 V
- 供应商设备包 T-MAX™ [B2]
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 58A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 80mOhm @ 29A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 423 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 8797 pF @ 25 V
