FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
APTM100H80FT1G
基本参数
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 1mA
- 配置 4 N-Channel (Full Bridge)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 150nC @ 10V
- 包装/箱 SP1
- 供应商设备包 SP1
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A
- 漏源电压 (Vdss) 1000V (1kV)
- 功率 - 最大 208W
- Rds On（最大）@Id、Vgs 960mOhm @ 9A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3876pF @ 25V
