FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
APTM10DHM09T3G
基本参数
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 2.5mA
- 漏源电压 (Vdss) 100V
- 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 包装/箱 SP3
- 供应商设备包 SP3
- 功率 - 最大 390W
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 139A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 350nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 9875pF @ 25V
