FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V @ 100µA
- Vgs（最大） ±20V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商设备包 PG-TO263-3
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 161 nC @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
- 功耗（最大） 163W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 5193 pF @ 25 V
