FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- Vgs（最大） ±20V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-252AA (DPAK)
- 功耗（最大） 3.8W (Ta), 200W (Tc)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 160A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.3V, 10V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 4mOhm @ 95A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 140 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6600 pF @ 25 V
