BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

型号: BSM120D12P2C005
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: ROHM Semiconductor
描述: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
封装: Bulk
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 包装/箱 Module
  • 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 供应商设备包 Module
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
  • 技术 Silicon Carbide (SiC)
  • 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
  • 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.7V @ 22mA
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 14000pF @ 10V
  • 功率 - 最大 780W