FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
BSM180D12P2C101
基本参数
- 包装/箱 Module
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 供应商设备包 Module
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 204A (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 35.2mA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 23000pF @ 10V
- 功率 - 最大 1130W
