FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 年级 Automotive
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.1V @ 1mA
- Vgs（最大） ±10V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 资质 AEC-Q101
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商设备包 D2PAK
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 75A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
- 功耗（最大） 137W (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 4.4mOhm @ 25A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 33.9 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4483 pF @ 25 V
