FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Chassis Mount
- 包装/箱 Module
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 供应商设备包 Module
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 功率 - 最大 925W
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 193A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 16mOhm @ 120A, 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.6V @ 6mA (Typ)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 378nC @ 20V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6470pF @ 800V
