CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

型号: CSD85312Q3E
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: Texas Instruments
描述: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD
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基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 包装/箱 8-PowerVDFN
  • 漏源电压 (Vdss) 20V
  • 配置 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1.4V @ 250µA
  • 功率 - 最大 2.5W
  • 场效应管特性 Logic Level Gate, 5V Drive
  • 供应商设备包 8-VSON (3.3x3.3)
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 39A
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 15.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2390pF @ 10V