CSD86330Q3D

CSD86330Q3D

型号: CSD86330Q3D
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: Texas Instruments
描述: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
  • 功率 - 最大 6W
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.1V @ 250µA
  • 漏源电压 (Vdss) 25V
  • 包装/箱 8-PowerLDFN
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 6.2nC @ 4.5V
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 9.6mOhm @ 14A, 8V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 920pF @ 12.5V
  • 供应商设备包 8-LSON (3.3x3.3)