FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
CTLDM7590 TR
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 工作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.2V, 4.5V
- Vgs（最大） 8V
- 功耗（最大） 125mW (Ta)
- 包装/箱 3-XFDFN
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 140mA (Ta)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 10 pF @ 15 V
- 供应商设备包 TLM3D6D8
