FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
DMN2005UFG-7
型号：
DMN2005UFG-7
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 4.5V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±12V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA
- 供应商设备包 POWERDI3333-8
- 功耗（最大） 1.05W (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 164 nC @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18.1A (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6495 pF @ 10 V
