DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

型号: DMN2016LHAB-7
产品分类: FET、MOSFET 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD
PDF: 资料 资料

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 配置 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • 包装/箱 6-UDFN Exposed Pad
  • 漏源电压 (Vdss) 20V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1.1V @ 250µA
  • 功率 - 最大 1.2W
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 16nC @ 4.5V
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1550pF @ 10V
  • 供应商设备包 U-DFN2030-6 (Type B)