FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
DMN26D0UFB4-7
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功耗（最大） 350mW (Ta)
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.5V, 4.5V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 230mA (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.1V @ 250µA
- 包装/箱 3-XFDFN
- 供应商设备包 X2-DFN1006-3
- Rds On（最大）@Id、Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 14.1 pF @ 15 V
