FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
ECH8601M-C-TL-H
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-SMD, Flat Lead
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 配置 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- 功率 - 最大 1.5W
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A
- 漏源电压 (Vdss) 24V
- 场效应管特性 Logic Level Gate, 2.5V Drive
- 供应商设备包 8-ECH
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 7.5nC @ 4.5V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V
