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分立半导体产品
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晶体管
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IGBT
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单 IGBT
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FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF
型号:
FGD3N60UNDF
产品分类:
单 IGBT
品牌:
Sanyo Semiconductor/onsemi
描述:
IGBT 600V 6A 60W DPAK
封装:
-
ROHS状态:
是
货币:
USD
PDF:
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基本参数
安装类型
Surface Mount
功率 - 最大
60 W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600 V
包装/箱
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
输入类型
Standard
供应商设备包
TO-252AA
IGBT类型
NPT
集电极电流 (Ic)(最大)
6 A
反向恢复时间 (trr)
21 ns
集电极脉冲电流 (Icm)
9 A
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic
2.52V @ 15V, 3A
开关能量
52µJ (on), 30µJ (off)
栅极电荷
1.6 nC
Td(开/关)@ 25°C
5.5ns/22ns
测试条件
400V, 3A, 10Ohm, 15V
推荐型号
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
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FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
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IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
0755-83211465
396666147@qq.com
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