FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
FMP26-02P
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 功率 - 最大 125W
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 配置 N and P-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA
- 包装/箱 i4-Pac™-5
- 供应商设备包 ISOPLUS i4-PAC™
- Rds On（最大）@Id、Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
- 漏源电压 (Vdss) 200V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 70nC @ 10V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 26A, 17A
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2720pF @ 25V
