FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A (Tc)
- 功耗（最大） 20W (Tc)
- 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
- 供应商设备包 TO-46
- 包装/箱 TO-46-3
- Rds On（最大）@Id、Vgs 240mOhm @ 5A
