FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
GA20JT12-247
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-247-3
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- 供应商设备包 TO-247AB
- 功耗（最大） 282W (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 70mOhm @ 20A
