FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 1200 V
- 输入类型 Standard
- IGBT类型 PT
- 包装/箱 TO-247-3
- 供应商设备包 TO-247AB
- 栅极电荷 50 nC
- 反向恢复时间 (trr) 36 ns
- 集电极脉冲电流 (Icm) 35 A
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
- 开关能量 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
- 测试条件 800V, 35A, 22Ohm, 15V
