FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
GA50JT12-247
型号：
GA50JT12-247
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
封装：
-
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- 工作温度 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-247-3
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 供应商设备包 TO-247AB
- Rds On（最大）@Id、Vgs 25mOhm @ 50A
- 功耗（最大） 583W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 7209 pF @ 800 V
