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分立半导体产品
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IGBT
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单 IGBT
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GT10J312(Q)
GT10J312(Q)
型号:
GT10J312(Q)
产品分类:
单 IGBT
品牌:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
封装:
-
ROHS状态:
-
货币:
USD
PDF:
资料
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基本参数
安装类型
Through Hole
功率 - 最大
60 W
工作温度
150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600 V
输入类型
Standard
反向恢复时间 (trr)
200 ns
包装/箱
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
集电极电流 (Ic)(最大)
10 A
集电极脉冲电流 (Icm)
20 A
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Td(开/关)@ 25°C
400ns/400ns
测试条件
300V, 10A, 100Ohm, 15V
推荐型号
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
0755-83211465
396666147@qq.com
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