FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
HAT2160H-EL-E
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 功耗（最大） 30W (Tc)
- 包装/箱 SC-100, SOT-669
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Ta)
- 供应商设备包 LFPAK
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 54 nC @ 4.5 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 2.6mOhm @ 30A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 7750 pF @ 10 V
