FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IPP50R500CEXKSA1
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 包装/箱 TO-220-3
- 供应商设备包 PG-TO220-3-1
- 漏源电压 (Vdss) 500 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 13V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 18.7 nC @ 10 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 200µA
- Rds On（最大）@Id、Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 433 pF @ 100 V
