FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRFHM8363TR2PBF
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- 漏源电压 (Vdss) 30V
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 15nC @ 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 25µA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1165pF @ 10V
- 功率 - 最大 2.7W
- 供应商设备包 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
