FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IXFB210N30P3
型号：
IXFB210N30P3
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
封装：
Tube
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 供应商设备包 PLUS264™
- 包装/箱 TO-264-3, TO-264AA
- 漏源电压 (Vdss) 300 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 8mA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 210A (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 16200 pF @ 25 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 14.5mOhm @ 105A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 268 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 1890W (Tc)
