FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 1200 V
- 输入类型 Standard
- IGBT类型 PT
- 反向恢复时间 (trr) 200 ns
- 供应商设备包 PLUS247™-3
- 包装/箱 TO-247-3 Variant
- 集电极脉冲电流 (Icm) 400 A
- 集电极电流 (Ic)（最大） 125 A
- 栅极电荷 185 nC
- 功率 - 最大 460 W
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2.3V @ 15V, 55A
- 开关能量 5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
- Td（开/关）@ 25°C 23ns/365ns
- 测试条件 960V, 55A, 3Ohm, 15V
