FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IXTP36N30T
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 包装/箱 TO-220-3
- 供应商设备包 TO-220-3
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 70 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2250 pF @ 25 V
- 漏源电压 (Vdss) 300 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 36A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 110mOhm @ 500mA, 10V
