FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IXTQ120N15T
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- 供应商设备包 TO-3P
- 包装/箱 TO-3P-3, SC-65-3
- 漏源电压 (Vdss) 150 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 150 nC @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 16mOhm @ 500mA, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4900 pF @ 25 V
