FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IXTY08N120P
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 包装/箱 TO-220-3
- 供应商设备包 TO-220-3
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A (Tc)
