FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IXTY1R4N120P
型号：
IXTY1R4N120P
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
封装：
Tube
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商设备包 TO-252AA
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
