FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
JAN2N7334
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 年级 Military
- 包装/箱 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 100V
- 功率 - 最大 1.4W
- 供应商设备包 MO-036AB
- 配置 4 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 700mOhm @ 600mA, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 60nC @ 10V
- 资质 MIL-PRF-19500/597
