FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
NTMFS4833NAT1G
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 供应商设备包 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/箱 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A (Ta), 191A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 150 nC @ 11.5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 7500 pF @ 12 V
