FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
NVMD6P02R2G
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 年级 Automotive
- 供应商设备包 8-SOIC
- 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- 资质 AEC-Q101
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 20V
- 配置 2 P-Channel (Dual)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.8A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 35nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1700pF @ 16V
- 功率 - 最大 750mW
