FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
PMDPB65UP,115
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- 包装/箱 6-UDFN Exposed Pad
- 漏源电压 (Vdss) 20V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 6nC @ 4.5V
- 配置 2 P-Channel (Dual)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A
- 供应商设备包 6-HUSON (2x2)
- 功率 - 最大 520mW
- Rds On（最大）@Id、Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 380pF @ 10V
