FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
PMR670UPE,115
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 包装/箱 SC-75, SOT-416
- Vgs（最大） ±8V
- 供应商设备包 SC-75
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V, 4.5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 480mA (Ta)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.14 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 87 pF @ 10 V
- 功耗（最大） 250mW (Ta), 770mW (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 850mOhm @ 400mA, 4.5V
