FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±8V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V, 4.5V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 950mV @ 250µA
- 供应商设备包 DFN1006B-3
- 包装/箱 3-XFDFN
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 0.68 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 83 pF @ 10 V
- 功耗（最大） 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
